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技術(shù)特點:
● 可加工碳化硅晶錠(最大厚度 5000mm)、帶框架的異形片及非標準的4/6/8寸SiC晶片;磨輪直徑 Φ300mm,最高減薄速率 0.9μm/s, 單片磨削時間< 5 分鐘;
● 單主軸單工位自動減薄機,在線測量方式(測量范圍0-1800μm)/ 離線測量方式(測量范圍 0-50000μm)可選;通過手動進行上片、卸片操作和油石手動清洗承片臺。
性能指標:
WG-1250自動減薄機 | |||
磨削方式 | In-feed grinding with wafer rotation通過旋轉(zhuǎn)晶圓,實現(xiàn)縱向切入式磨削 | ||
結(jié)構(gòu)方式 | 1根主軸, 3個承片臺,1回轉(zhuǎn)工作臺 | ||
磨削尺寸 | mm | Max.Ø200(Φ4″-Φ8″) | |
磨輪直徑 | mm | Φ300 | |
主軸 | 類型 | - | 高頻電機內(nèi)裝式空氣主軸 |
主軸數(shù)量 | - | 2 | |
定額功率 | KW | 7.5 | |
主軸轉(zhuǎn)速 | mm | 1000-4000 | |
Z軸分辨率 | µm | 0.1 | |
承片臺 | 裝片方式 | - | 真空吸附 |
承片臺類型 | - | 多孔陶瓷式 | |
轉(zhuǎn)速 | rpm | 0-300 | |
承片臺數(shù)量 | 套 | 3 | |
承片臺清洗方式 | - | 油石手動清洗 | |
減薄精度 | 片內(nèi)厚度偏差 | µm | ≤2 |
片間厚度偏差 | µm | ≤±2 | |
表面粗糙度Ra | nm | ≤3(#30000 wheel,SiC) | |
設(shè)備 | 外形尺寸WxD×H | mm | 1446×1860×1875 |
設(shè)備重量 | kg | 3800 |
關(guān)鍵詞:
WG-1250自動減薄機
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